CMP漿料

特點

. 金屬離子含量極低 單分散體系，粒徑分布均勻

.產(chǎn)品各批次間品質一致性高

.可自由控制粒子大小及形貌

.分散穩(wěn)定，不易凝聚、沉降

.速率高，無結晶，易清先

.表面質基好，周環(huán)能力強

選型品

.藍寶石:SPS 不銹鋼:SLPS
.鋁臺金:AAPS
.硅片:SSPS
.砷化鎵:GAPS
.硬盤:DPS

.人工體:ALPS
.陶瓷:CPS

中國半導體CMP拋光材料上游為原材料供應商，主要為研磨劑企業(yè)，其他次要企業(yè)有化工企業(yè)、包裝材料企業(yè)和濾芯企業(yè)。半導體產(chǎn)業(yè)制造流程復雜，特別是集成電路領域對使用的CMP拋光材料要求高，主要原材料研磨劑顆粒一般為納米級，技術難點在于均勻成核。生長時抑制二次成核
且必須保持質量穩(wěn)定，顆粒分布均勻、顆粒直徑均勻，才能在大量使用的過程中避免對硅片造成損傷產(chǎn)品所需主要原材料為硅溶膠和氣相二氧化硅等研磨顆粒，其中氣相二氧化硅容易溢出，且不容易清洗，硅溶膠使用效果更佳。

電子工業(yè)：硅溶膠和刻蝕試劑制成的拋光液，可用于硅片以及硬盤盤片的粗拋和精拋；同時，硅溶膠也可作為彩色顯像管制造中的分散劑和粘結劑；

 硅溶膠拋光液

因為拋光漿料的選取要滿足易清洗、拋光速率快以及拋光均勻性好等特點，而硅溶膠作為一種軟質磨料是在SiO2磨粒表面包覆一層無色透明膠體，使其硬度比SiO2磨粒更軟，其粒度約為0.01-0.1um，加工時拋光表面不易造成劃傷，同時其膠體粒子直徑為納米級，具有較大的比表面積，高度的分散性和滲透性，因其粒子表面常吸附OH-而帶負電，具有很好的親水性和憎油性，因此廣泛應用于硅片、二氧化硅、藍寶石等精密光學器件表面的拋光處理。

由于二氧化硅粒度很細，約0.01-0.1μm，因此拋光工件表面的損傷層極微；另外，二氧化硅的硬度和硅片的硬度相近，因此常用于對半導體硅片的拋光。精拋時通常不會采用類似氣相法制備的微米級二氧化硅粒子，而采用納米級的硅溶膠，這是為了減小表面粗糙度和損傷層深度。

二氧化硅是硅溶膠拋光液的重要組成部分，其粒徑大小、致密度、分散度等因素直接影響化學機械拋光的速率和拋光質量。